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MICRON DDR3 SDRAM

發(fā)布時間：2022-06-07 16:52:33     瀏覽：1117

MICRON DDR3 SDRAM比之前的DDR和DDR2 SDRAM提供更多的帶寬。除了出色的性能外，DDR3還具備較低的工作頻率范圍。結(jié)果可以是更高帶寬的實施系統(tǒng)，同時消耗相等或更少的系統(tǒng)功率。然而，根據(jù)數(shù)據(jù)規(guī)范確定系統(tǒng)應(yīng)用程序內(nèi)的功率并不總是簡單的。

要估算MICRON DDR3 SDRAM的功率，您必須了解設(shè)備的基本功能。DDR3設(shè)備的采用與DDR2類似。針對這兩種設(shè)備，DRAM的主要采用由時鐘啟動（CKE）控制。如果CKE低，則輸入緩沖區(qū)關(guān)閉。為了允許DRAM接收命令，CKE必須高以啟動輸入緩沖區(qū)，并將命令/地址傳播到DRAM上的邏輯/解碼器。在正常采用期間，發(fā)送至DRAM的第一個命令通常是ACT命令。此命令選擇銀行和銀行地址。數(shù)據(jù)存儲在選擇行的模塊中，然后從陣列傳輸?shù)絺鞲蟹糯笃?/span>。

MICRON (3).png

MICRON DDR3 SDRAM內(nèi)有八個不同的陣列組。每個存儲組都包括自己的一組檢測放大器，可以采用唯一的行地址獨立激活這些放大器。當(dāng)一個或多個存儲組的數(shù)據(jù)存儲在傳感放大器中時，DRAM激活。數(shù)據(jù)保存在傳感放大器中，直到對同一組的預(yù)命令將數(shù)據(jù)恢復(fù)到陣列中的模塊。每個ACT命令必須有一個與之關(guān)聯(lián)的前置命令；也就是說，除非采用了所有預(yù)充電命令，否則ACT和PRE命令成對出現(xiàn)。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，以庫存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。

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