Infineon英飛凌高壓通用型N溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2023-12-18 09:25:13 瀏覽:622
英飛凌高功率 MOSFET 精選產(chǎn)品組合提供簡單且具有價格競爭力的解決方案,這些解決方案應用廣泛并且質量可靠。通用高功率MOSFET產(chǎn)品組合涵蓋 500 V 至 900 V 的電壓等級以及 RDS(on) 值在 180 m? 到 3400 m? 之間的多種型號器件,產(chǎn)品組合支持 10 余種不同封裝,例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引線)等多種類型。
英飛凌的高壓 N 溝道 MOSFET 非常適合以下應用:
- SMPS
- 充電器和適配器 - 照明
- 服務器/電信
- 電視電源
- 等等
產(chǎn)品選型:
IPD70R600P7S | IPD60R180P7S | IPA65R1K0CE | IPW90R500C3 | SPD02N80C3 | IPD50R3K0CE |
IPP50R190CE | IPD70R900P7S | IPN60R2K1CE | IPD60R1K0CE | SPA06N80C3 | IPA80R650CE |
IPD50R950CE | IPD70R360P7S | SPW20N60C3 | IPD60R3K4CE | SPP04N80C3 | SPD03N60C3 |
IPD60R280P7S | IPA50R280CE | IPAN70R750P7S | IPU60R1K5CE | SPD04N80C3 | SPW55N80C3 |
IPP50R380CE | IPA60R280P7S | IPI90R340C3 | IPA65R400CE | IPD50R650CE | IPA80R1K4CE |
IPD50R280CE | IPN70R360P7S | IPA60R650CE | IPA80R1K0CE | IPU60R2K1CE | IPP90R800C3 |
IPAN70R600P7S | IPD60R360P7S | SPB20N60C3 | IPD50R500CE | IPN70R450P7S | SPP08N80C3 |
IPD50R380CE | IPN60R600P7S | IPA60R400CE | IPS70R600P7S | IPW90R120C3 | SPD07N60C3 |
IPA50R500CE | IPN70R600P7S | IPB90R340C3 | IPN70R1K5CE | SPP11N60C3 | IPD60R2K1CE |
IPA70R600P7S | IPN50R1K4CE | IPA65R650CE | IPA90R500C3 | IPD60R1K5CE | |
IPD70R1K4P7S | IPN60R360P7S | SPP15N60C3 | IPN60R1K5CE | SPW17N80C3 | |
IPA70R360P7S | IPA50R950CE | SPA07N60C3 | IPD80R1K4CE | IPD60R650CE | |
IPN50R2K0CE | IPAN70R360P7S | IPD65R400CE | IPA60R1K0CE | IPD60R400CE | |
IPD60R600P7S | SPA20N60C3 | IPA80R310CE | IPN60R1K0CE | SPP07N60C3 | |
IPP50R280CE | SPA11N60C3 | IPA90R340C3 | SPD06N80C3 | IPP90R340C3 | |
IPS70R1K4P7S | SPP17N80C3 | IPA80R460CE | IPD60R800CE | SPP06N80C3 |
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IPC100N04S5-1R2是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET,屬于OptiMOS? 5系列,專為汽車應用設計。該器件通過AEC-Q101認證,具有1.2 mΩ的低導通電阻和100 A的高連續(xù)漏極電流,適合高效率和高性能的汽車系統(tǒng)。產(chǎn)品參數(shù)包括40 V的漏源電壓、100 A的連續(xù)漏極電流、400 A的脈沖漏極電流、480 mJ的單次脈沖雪崩能量、±20 V的柵源電壓、150 W的功耗。
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