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Linear Systems 擴展了其 JFET 壓控電阻器 (VCR) 系列，用于基于 IC 的器件的低功耗電路。JFET壓控電阻器系列新增的兩款產品包括LS26VNS單N溝道JFET VCR和LS26VPS單P溝道JFET VCR。N 和 P 溝道版本均由相同的芯片幾何形狀制成，因此具有互補性。它們是現有VCR11N雙N通道的補充。將VCR用于壓控放大器或壓控增益系統(tǒng)的優(yōu)點包括：

· 基于 VCR 的設備以較低的電壓和功耗運行，使電池供電系統(tǒng)的使用壽命顯著延長。

· VCR JFET可與低功耗運算放大器配合使用，為電壓控制增益系統(tǒng)提供低功耗解決方案。

對于 LMV358 或 TLC272 等低壓運算放大器，VCR JFET 用于在極低的電源電壓(如 +/- 2 V、+ 5 V，甚至低至 3.3 V)的單個電源下執(zhí)行電壓控制增益。當JFET VCR包含低電壓、低功耗運算放大器時，電路可以設計為非常低功耗。例如，將LSK389A用作這些低壓電路的VCR。

匹配的JFET VCR(VCR11N或LSK389A)可以提供兩個相同的電壓控制增益通道，其中兩個通道的控制電壓跟蹤。這可用于立體聲音頻信號衰減器。

典型的有源壓控放大器消耗更多的電流，并且需要更高的最小電源電壓，專用電壓控制放大器集成電路至少需要 +/- 4 伏。

包括J177在內的P溝道JFET可以設計為具有單個A電源的VCR電路。例如，P溝道JFET VCR電路非常適合正電源電壓，因為它對柵極的控制電壓也是正電壓。

LS26VNS N 溝道單 JFET VCR 具有漏源電阻，該電阻由施加到高阻抗柵極端子的直流偏置電壓 (VGS) 控制。當VGS = -1.0V時，最小RDS為14 Ω。當VGS接近時，-6.0V RDS的夾斷電壓迅速增加到最大值，即RDS = 38 Ω。

LS26VPS P 溝道單 JFET 壓控電阻器具有漏源電阻，該電阻由施加到高阻抗柵極端子的直流偏置電壓 (VGS) 控制。當VGS = 3.0V時，最小RDS為20 Ω。當VGS接近7.5V的夾斷電壓時，RDS迅速增加到最大值或RDS = 50 Ω。

特征描述：

LS26VNS(N 通道單通道)

RDS(on) 14-38歐姆

BVgss 30 伏

TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片

LS26VPS(P 通道單通道)

RDS(on) 20-50歐姆

BVgss 30 伏

TO-92 3L、SOT-23 3L、DFN 8L、裸片

應用：

可變增益控制

壓控振蕩器

信號衰減器

音樂效果應用

自適應模擬濾波器

自動增益控制電路

時鐘發(fā)生器

壓縮機

靜電計

能量收集器

擴展器

助聽器

調光器

調制 器

攪拌機

人工神經網絡

可編程增益放大器

相控陣

鎖相環(huán)

相控調光電路

相位延遲和提前電路

可調諧濾波器

可變衰減器

壓控多諧振蕩器

波形發(fā)生器

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