Ampleon BLF242功率MOS晶體管
發(fā)布時(shí)間:2024-05-17 09:30:02 瀏覽:439
Ampleon BLF242功率MOS晶體管是一種專(zhuān)為HF/VHF頻率范圍內(nèi)的專(zhuān)業(yè)發(fā)射器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的硅N溝道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管。它具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):
1. 高功率增益:能夠提供較高的功率增益,有助于增強(qiáng)信號(hào)傳輸效果。
2. 低噪音:在信號(hào)傳輸過(guò)程中減少了噪音的干擾,保持信號(hào)清晰。
3. 輕松的電源控制:提供了便捷的電源控制功能,有助于設(shè)備的操作和管理。
4. 良好的熱穩(wěn)定性:在高溫環(huán)境下依然能夠保持穩(wěn)定的性能,確保設(shè)備的可靠性和持久性。
5. 可承受滿(mǎn)載失配:即使在失配情況下,仍能夠承受一定程度的負(fù)載,保證設(shè)備的穩(wěn)定性。
6. 金金屬化確保了出色的可靠性:金屬化處理提高了晶體管的耐用性和可靠性,延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。
該晶體管適用于HF/VHF頻率范圍內(nèi)的發(fā)射機(jī)應(yīng)用,其工作頻率范圍為25200兆赫。在測(cè)試信號(hào)為CW時(shí),當(dāng)輸入功率為1 dB增益壓縮時(shí),標(biāo)稱(chēng)輸出功率為5W。在這個(gè)條件下,功率增益為13-16分貝,漏極效率為50-60%。
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ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進(jìn)入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的流程。
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