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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。它們具有高開(kāi)關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負(fù)載切換和模擬信號(hào)放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時(shí)產(chǎn)生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場(chǎng)合，并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。

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  Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

  Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應(yīng)用（如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開(kāi)關(guān)電路），關(guān)鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導(dǎo)通電阻300mΩ、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為T(mén)O-254密封封裝，有背面隔離，可進(jìn)行JANTX、JANTXV篩選；絕對(duì)最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù)，如漏源電壓650V、結(jié)溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。